Micron Technology
IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ (MT40A256M16GE-075E AUT:B)
Part Number: MT40A256M16GE-075E AUT:B
Documents / Media: datasheets MT40A256M16GE-075E AUT:B
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR4
- Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
- Скорость: 1.33GHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: -
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.14 V ~ 1.26 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TC)
- Вид монтажа: -
- Корпус: -
- Исполнение корпуса: -
Цена по запросу